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Grupos de Investigación

La investigación del Departamento de Física Aplicada se articula en torno a los siguientes Grupos de Investigación:
  • Grupo de Físico-Química de Superficies

    El grupo ha trabajado tradicionalmente en el estudio de películas muy delgadas usando técnicas de análisis superficial: espectroscopía Auger (AES), de fotoemisión (XPS), espectroscopías resueltas en ángulo (ARAES, ARXPS), de dispersión de iones de baja energía (ISS) y microscopía de fuerzas atómicas (AFM).

  • Grupo de Materiales Fotónicos y Biofuncionales Avanzados

    El grupo de Materiales Fotónicos y Biofuncionales Avanzados está formado por investigadores del Departamento de Física Aplicada de la Universidad Autónoma de Madrid y sus líneas de trabajo son: Nanoestructuras basadas en silicio: Crecimiento y caracterización, Películas delgadas y multicapas para sistemas ópticos, Biosensores, Patrones micrométricos de superficie, Aplicaciones fotónicas de silicio basados en nanoestructuras, Biofuncionalización y biofabricación y Recubrimientos de baja emisividad

  • Grupo de Recubrimientos, Intercaras y Nanoestructuras

    Los miembros del grupo han trabajado tradicionalmente en láminas delgadas y análisis mediante espectroscopías Auger (AES), de fotoemisión (XPS), perfiles de concentración (DP) y espectroscopías con Radiación Sincrotrón (XAS, RPES, etc). Elipsometría, medidas eléctricas con una estación Hall y espectrometría de masas son las últimas técnicas añadidas al laboratorio.

  • Grupo de Electrónica y Semiconductores

    El Grupo de Electrónica y Semiconductores lleva a cabo las siguientes líneas de investigación Plataformas sensoras y biosensoras, Crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos III-V para aplicaciones optoelectrónicas, Recubrimientos dieléctricos, antirreflectantes y endurecedores, Semiconductores amorfos, Implantación iónica: dopaje y modificación de la composición superficial, Guías de onda integradas y diseño basado en microprocesadores.

  • Laboratorio de Recubrimientos y Nanoestructuras

    El LRN, integrado dentro del Departamento de Física Aplicada, en la actualidad desarrolla diferentes líneas de investigación centradas en la síntesis de materiales nanoestructurados y recubrimientos además de colaborar activamente en varios proyectos con empresas privadas. Conjuntamente el LRN goza de un convenio de colaboración con la Universidad del Turabo (Puerto Rico, USA).

  • Grupo de Materiales Fotovoltaicos

    The Photovoltaic Materials Group has a large experience in the synthesization and characterisation of several ternary and multinary compounds, among them Cu2(Zn,Sn)(Se,S)4, Cu(Ga,In)(Se,Te)2-type compounds as well as Cu(Ga,In)xSey-type, more commonly known as “ordered defect compounds” (ODC), have extensively been studied.

  • Laboratorio de Crecimiento Láser

    La actividad investigadora del LCL comprende el crecimiento de materiales en lámina delgada mediante evaporación por láser pulsado y el estudio de sus propiedades físicas. La evaporación láser es una técnica versátil bien adaptada para el crecimiento ordenado de compuestos complejos. En el LCL se han estudiado materiales superconductores de alta temperatura crítica, materiales ferroeléctricos, materiales con aplicaciones ópticas, materiales orgánicos electroluminiscentes y nuevas fases de óxidos metálicos.

  • Laboratorio de materiales y superficies para alta potencia de RF en el espacio

    El LMS está ubicado en el Departamento de Física Aplicada de la Facultad de Ciencias de la UAM y se creó con el propósito de investigar y mitigar el efecto multipactor, un problema presente en la instrumentación de RF de alta potencia para sistemas de comunicación multimisión en el espacio, aceleradores de partículas y dispositivos de plasma toroidales para la fusión nuclear. La investigación de nuestro grupo cuenta con el apoyo y la financiación de centros de prestigio como la Agencia Espacial Europea (ESA), del Ministerio de Ciencias e Innovación  y se desarrolla con éxito en colaboración con otros centros de investigación e instituciones.

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