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Grupo de Físico-Química de Superficies

Presentación

Bienvenidos a la página Web del Grupo de Físico-Química de Superficies de la UAM (FS-UAM).

El Laboratorio de este grupo está ubicado en el Departamento de Física Aplicada, 1ª planta (105) del módulo C-XII de la Facultad de Ciencias de la Universidad Autónoma de Madrid, Campus de Cantoblanco. El grupo de investigación se formó en 1992 y desde entonces ha venido trabajando en Proyectos de Investigación financiados por el Ministerio de Educación y Ciencia (MEC), la Comunidad de Madrid (CAM) y la Unión Europea (EU).

El grupo ha trabajado tradicionalmente en el estudio de películas muy delgadas usando técnicas de análisis superficial: espectroscopía Auger (AES), de fotoemisión (XPS), espectroscopías resueltas en ángulo (ARAES, ARXPS), de dispersión de iones de baja energía (ISS) y microscopía de fuerzas atómicas (AFM). Los principales materiales investigados han sido los óxidos y nitruros de metales de transición y la formación de sus intercaras. Además, el grupo trabaja actualmente en una nueva línea de de investigación relacionada con la funcionalización de superficies para el anclaje de algas que pueden utilizarse como sensores para controlar la calidad del agua.

Responsable del grupo:  Dr. Carlos Palacio Orcajo

Líneas de Investigación

  1. Análisis químico de películas delgadas por medio de espectroscopia de electrones Auger (AES) y bombardeo iónico simultáneo.
    Aspectos instrumentales y computacionales del problema. Estudio de la oxidación del tantalio (Ta).
  2. Oxidación de metales y aleaciones. Espectroscopia de superficies y estructura electrónica.
    Técnicas numéricas de tratamiento de los datos espectroscópicos (FA).
  3. Formación y oxidación de intercaras metal / metal, metal / semiconductor, metal / oxido y metal / nitruro.
  4. Utilización de radiación sincrotrón para determinar la estructura electrónica de intercaras y compuestos binarios.
  5. Perfiles de concentración mediante espectroscopias resueltas en ángulo (ARAES, ARXPS) y mediante fotoemisión de alta energía utilizando radiación sincrotrón (HAXPES).
  6. Síntesis y caracterización de nitruros binarios y ternarios con propiedades tribológicas. Nitruración de intercaras.
    Síntesis de compuestos (nitruros y óxidos mixtos) mediante mezclado por haces de iones.
  7. Estudio de la funcionalización de superficies mediante técnicas de análisis superficial (FUTURSEN).

Publicaciones y Tesis

C. Palacio, J.M. Martínez Duart and M. Salmerón. "Response function of velocity analysers" J. Phys. E, 10, 61(1977)

C. Palacio and J.M. Martínez Duart. "The oxidation of polycrystalline tantalum at low pressures and low temperatures". Thin Solid Films, 90, 63 (1982)

C. Palacio, H.J. Mathieu and D. Landolt. "AES, XPS and EELS study of the initial oxidation of polycrystalline chromium". Surface Science, 182, 41 (1987)

J. M. Sanz, C. Palacio, Y. Casas and J.M. Martínez Duart. "An AES study of the oxidation of polycrystalline Zr at room temperature and low oxygen exposures". Surface and Interface Analysis, 10, 177 (1987)

C. Palacio and H.J. Mathieu. "Application of Factor Analysis to the AES and XPS study of the oxidation of Chromium". Surface and interface Analysis, 16, 178 (1990)

C. Palacio and A. Arranz "Electronic structure and interface formation during nickel deposition on polycrystalline aluminum" Journal of Physical Chemistry B, 104, 9647(2000)

C. Palacio and A. Arranz "Chemical structure of ultrathin silicon nitride films grown by low energy (0.25-5keV) nitrogen implantation: An ARXPS Si 2p study" Journal of Physical Chemistry B, 106, 4261 (2002)

A. Arranz, V. Pérez-Dieste and C. Palacio "Electronic structure of stoichiometric and reduced Ta2O5 surfaces determined by resonant photoemission" Physical Review B, 66, 075420 (2002)

C. Palacio, P. Ocón, P. Herrasti , D. Díaz and A. Arranz "XPS and ARXPS study of silver underpotential deposition on Pt in acid solution" Journal of Electroanalytical Chemistry, 545, 53 (2003)

A. Arranz, C. Palacio and J. Avila "Resonant photoemission study of the electronic structure of 3keV nitrogen-implanted tantalum" Physical Review B, 71, 35405 (2005)

A. Arranz and C. Palacio “Screening effects in the Ti 2p core level spectra of Ti-based ternary nitrides” Surface Science, 600, 2510 (2006)

A. Arranz and C. Palacio “Synthesis, composition and electronic structure of Cr-Si-N thin films formed by reactive ion beam mixing of Cr/Si interfaces” Journal of Physical Chemistry C, 112, 1589 (2008)

A. Arranz, C. Palacio, D. García-Fresnadillo, G. Orellana, A. Navarro and E. Muñoz “Influence of the surface hydroxylation on the 3-aminopropyltriethoxysilane growth mode during chemical functionalization of GaN surfaces: an angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy study” Langmuir, 24, 8667 (2008)

R.Escobar Galindo, R. Gago. D. Duday and C. Palacio “Towards nanometric resolution in multilayer depth profiling: a comparative study of RBS, SIMS, XPS and GDOES” Analytical and Bioanalytical Chemistry, 396, 2725 (2010)

J. López-Gejo, A. Arranz, A. Navarro, C. Palacio, E. Muñoz, and G. Orellana “Microsensors Based on GaN Semiconductors Covalently Functionalized with Luminescent Ru(II) Complexes” Journal of the American Chemical Society, 132 (6), pp 1746–1747 (2010)

N. Benito, D. Díaz, L. Vergara, R. Escobar Galindo, O. Sánchez and C. Palacio “An XPS and ellipsometry study of Cr-O-Al mixed oxides grown by reactive magnetron sputtering” Surface and Coating Technology, 206, 1484 (2011)

C. Palacio, J. Olvera, J,L. Plaza and E. Dieguez “XPS – AES study of the surface composition of GaSb single crystals irradiated with low energy Ar ions” Surf. and Coating Technology, (Aceptado 2012)

R. Escobar Galindo, N. Benito, D. Duday , G. G. Fuentes, P. Herrero, L. Vergara, N. Valle,  V. Joco, O. Sanchez, A. Arranz, and C. Palacio In-Depth Multi-technique Characterization of Chromium-Silicon Mixed Oxides Produced by Reactive Ion Beam Mixing of the Cr/Si Interface”  J. of Analytical Atomic Spectrometry, (Aceptado2012), DOI: 10.1039/c2ja10296j

Personal del grupo

Universidad Autónoma de Madrid © 2008 · Ciudad Universitaria de Cantoblanco · 28049 Madrid · Tel.: +34 91 497 51 00 · e-mail: informacion.general@uam.es.